Пластины gaas изготовлены по технологии epi-ready с использованием технологии и химических составов корпорации fujimi (япония).
Область применения:
производство интегральных свч микросхем, светодиодов, ик излучателей, в том числе полупроводниковых лазеров, спутниковых солнечных батарей и пр.
Характеристики пластин:
метод выращивания. чохральского (lec);
диаметр, мм. 50, 8+/-0, 3 и 76, 2+/-0, 3;
удельное сопротивление, ом см. > 1 107;
подвижность, cm2/vs. ≥ 4500;
плотность дислокаций, см-2. ≤ 1 105;
тип материала. полуизолирующий;
легирующая примесь. нелегированные;
кристаллографическая ориентация. По заказу;
толщина. По заказу;
ориентация срезов. По заказу;
обработка лицевой стороны. Полированная, подготов-
ленная под эпитаксию;
обработка обратной стороны. По заказу;
ttv, мкм. < 7;
bow, мкм. < 10;
упаковка. Индивидуальный контейнер
в инертной атмосфере.
Рециклинг пластин арсенида галлия gaas
существует целый ряд разновидностей брака поверхности пластин арсенида галлия, образующегося на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов. При проведении процессов эпитаксии, фотолитографии, металлизации и других часть пластин отбраковывается и изымается из технологического процесса. На поверхности таких пластин находятся слои эпитаксиальных плёнок, фоторезиста, металла.
Разработана технология восстановления пластин а3в5, реализуемая на собственном производственном участке. В рамках технологического процесса пластины сортируются по видам дефектов, глубине нарушений, толщине пластин. Затем бракованные пластины арсенида галлия проходят очистку и химическую обработку поверхности.
В дальнейшем происходит удаление нарушенных слоёв химико-механической полировкой производится предэпитаксиальная обработка поверхности и пластины упаковываются в индивидуальные контейнеры в среде инертного газа.
После этого пластины могут повторно использоваться в процессах эпитаксиального наращивания.
Изготовления и рециклинг пластин gaas и других а3в5 материалов
